荡的发生。 ns = 二次侧圈数 np = 一次侧圈数 vo = 输出电压 vd= 二极体顺向电压 vin（min） = 滤波电容上的谷点电压 d =工作周期（duty cycle） 3.2.5 决定ip值： ip = 一次侧峰值电流 iav = 一次侧平均电流 pout = 输出瓦数 效率 pwm震荡频率 3.2.6 决定辅助电源的圈数： 依据变压器的圈比关系，可决定辅助电源的圈数及电压。 3.2.7 决定mosfet及二次侧二极体的stress（应力）： 依据变压器的圈比关系，可以初步计算出变压器的应力（stress）是否符合选用零件的规格，计算时以输入电压264v（电容器上为380v）为基准。 3.2.8 其它： 若输出电压为5v以下，且必须使用tl431而非tl432时，须考虑多一组绕组提供photo coupler及tl431使用。 3.2.9 将所得资料代入 公式中，如此可得出b（max），若b（max）值太高或太低则参数必须重新调整。 3.2.10 da-14b33变压器计算： 输出瓦数13.2w（3
lose proximity7. keep the layout of the matched transistors as compact as possible8. where practical , use common-centroid layouts9. place dummy segments on the ends of arrayed transistors10. place transistors in areas of low stress gradients11. place transistors well away from power devices12. do not place contacts on top of active gate area13. do not route metal across the active gate region14. keep all junctions of deep diffusions far away from active gate area15
, so the application in the practice has not been generalized. this paper proposed the zcs technique realized by the half bridge converter, both the main switch and auxiliary switch in the topology work in soft switching state, the turn-on current stress and turn-off voltage stress is small. 1 operational principles fig.1 shows the circuit diagram of the half-bridge converter. in the schematic, lr1 to lr4 are resonant inductors, the cr is resonant capacitor, s1 and s2 are main switches, s3 and s4
e and a negative charge-pump, three high-current operational amplifiers, and dual mode?, logic-controlled, high-voltage switch control block. hvs mode automatically increases the output voltages of the boost regulator and the positive charge-pump to stress test display panels during production. the max8784 can operate from input voltages of 4v to 5.5v and is optimized for lcd tv panel and lcd monitor applications. the step-up dc-dc regulator provides a regulated supply voltage for tft source driver
tage. tests can range from simple continuity tests to full electrical characterization of a component's functional performance at 42v. reliability issuesat 42v and higher power levels, many components, such as wires and relays, experience electrical stress three times higher than before. with higher stress, components tend to break down more often. therefore, component and module manufacturers have to perform more reliability testing, such as burn-in and accelerated stress tests, to ensure adequate se
or)，以及ibm的finfet，则面临寄生电容、电阻等挑战。 5. 块状硅(bulk silicon)或绝缘上覆硅(soi) 在22纳米制程用块状硅还是soi好？目前还不清楚，也许两种都可以。 6.高介电常数/金属闸极 取代性的闸极整合方案，将因较狭窄的闸极长度而面临挑战；为缩减等效氧化层厚度(equivalent oxide thickness，eot)，将会需要用到氧化锆(zirconium oxide)。 7. 应力(strain)技术 应变记忆技术(stress memorization techniques，smt)、拉伸应力工具(tensile stress liner)等各种技术目前已经获得应用，嵌入式si-c也可能需要用以改善nmos电流驱动。嵌入式硅锗(sige)、压缩应力工具以及电路/基板定位，则需要用以提升pmos性能。 8. 夹层电介质(interlayer dielectric) 超低介电常数(ultra low-k)电介质或气隙(air gap)技术，以及新一代的铜阻障技术都是有必要的。将「k」值近一步由2.6降低到2.
amd、ibm、索尼(sony)和东芝(tohiba)公司的工程师们最近开发出一种应变硅(strained-silicon)晶体管技术，称为“dual stress liner”。amd声称，这种技术可改善晶体管性能。 这些工程师在日前于美国旧金山(san francisco)举行的国际电子器件会议(iedm)上发表了一篇有关应变硅片晶体管技术的论文。amd称，该公司与ibm公司都期望在2005年上半年将该技术应用于90nm制造中。 amd没有提及索尼和东芝是否或何时将采用这一技术。amd称，这一工艺的开发使得在相同功率水平下晶体管的“速度”可比不用此技术制造的同类晶体管速度提高达24％。这一工艺据称也使amd和ibm成为率先将应变硅引入绝缘硅(soi)技术的公司。 amd称将把dsl应变硅技术整合到其所有90nm制造工艺技术中，包括用于未来多内核的amd64处理器的工艺。第一款采用该技术的90nm amd64处理器有望在2005年上半年出货。同样，ibm也计划将该技术引入多个90nm处理器平台，包括基于power architecture的芯片，第一批产品也将于200
日前，ibm和amd宣布已经研发出一种应变硅（straining silicon）制程实现方法的新技术，称为“dual stress liners”（dsl）。据称，应用这种新技术能够极大改善芯片性能，加快芯片工作速度，更易于制造和价格更低。 dsl技术很大程度降低了应变硅芯片制造的复杂度。事实上，应用dsl技术制造的芯片已经推出市场。但应用在90纳米制程上还是第一次，而且实验证明，把dsl技术和应变硅制程技术结合起来能够降低芯片的价格。所以几乎所有的芯片公司都表示将在2005年第一季度开始把dsl技术应用在90纳米制程。 同时，dsl技术令ibm，amd以及英特尔在处理器芯片技术竞赛上进一步升温。这一方面，英特尔已经先行一步。她已经在90纳米制程上应用了与dsl类似的技术，并声称明年还将把该增强技术应用在65纳米制程上。amd则在最近推出的athlon fx 处理器芯片上应用了该技术。 本周在旧金山举办的国际电子器件会议（iedm）上，ibm,amd和英特尔将公开各自的制程技术细节。 dsl技术简单的说就是在晶体管层上面把特殊的应变材料通过腐
安捷伦科技新近推出业界第一部脉冲函数任意波形噪声产生器，不仅能提供超优的信号质量，且能产生各式各样的波形，最适合用以执行一般的桌上型测试或先进的序列数据压力测试（stress test）。 为了加快产品的上市时间，负责设计与测试的工程师面临了极大的压力，不仅设计的时间缩短了，而且所需达到的质量目标也更高了。除此之外，讲究市场差异化的同时，也需要进行独特的功能测试。为了达到这些设计与测试的目标，确实需要新类型的测试仪器。 agilent 81150a脉冲函数任意波形噪声产生器可提供各式各样的脉冲波形，并可产生噪声，以进行压力测试。在测试序列资料的时候，若能搭配安捷伦科技的dso5000/mso6000/mso8000/ds80000 infiniium实时示波器或dca-j取样式示波器使用，将可提供最佳的激发信号解决方案。完全整合成单一部仪器的设计可以将接线和空间的需求降到最低，并将测试时间缩到最短。 工程师需要产生各种理想与最糟状况的信号，才能取得准确、快速且深入的dut量测信息，例如半导体内的电路、感应器和调变器等设计。agilent 81150a所产生的精确信号可协助工
105摄氏度的工作温度和10000小时额定工作时间，就没有必要将电解电容从led驱动设计中去除。如果在低温条件下，这些元件的使用寿命可以远远超过10000小时，例如，在85度下，一个额定寿命为10000小时的元件可以运行40000小时。 “其实用不用电解，其焦点就是电解的寿命，也就是整个产品的可靠性。”朱保赉表示，对于led电源，担心最多的就是某些元件的自然老化，例如电解电容，因为它的工作温度很高；其次就是驱动电源对于电网波动的适应性及可靠性，例如雷击，因为很多半导体的元件会因为over stress而失效。电解电容会存在电解液干涸的可靠性问题，但是如果简单地去除电解电容就会降低电源对电网波动的抗干扰能力，也会带来因雷击失效的风险，因此需要全面地评估产品的可靠性。 由无电解电容带来的高纹波电流而导致的低频闪烁开始越来越被人注意，有研究者认为，低于165hz的频闪即便是人眼不易觉察，但这已经对某些人眼造成生理上的不适，幅度大的低频纹波会也会被导致一些数码像机设备出现差频闪烁的亮暗栅格。朱保赉认为，虽然市场很渴望能有既能解决电容寿命又能保持稳定性及可靠性的新方案，但现阶段在高品质光源灯具上
ti技术文章翻译：标准逻辑数据手册术语符号的解释与理解(3)summary device description figure 1. example of summary device description ［005］［005］the absolute maximum ratings section (figure 2) specifies the stress levels that, if exceeded, may cause permanent damage to the device. however, these are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating conditions is not implied. also, exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended
注意［007］的说明：传统的电流方向定义［005］［005］the absolute maximum ratings section (figure 2) specifies the stress levels that, if exceeded, may cause permanent damage to the device. however, these are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under recommended operating conditions is not implied. also, exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. 绝对最大额定值部分（图2）规定了耐压等级，如否，就可能对器件造成永久性的损坏。然而，这只
0.561x10-21 2.845x10-22 5.682.85x10-22 10表格一，数据保持时间与ileakage由表一可以看出普通的nvm阈值电压降低3v，漏电流为2.85x10-22 a的情况下总共需要10年。vc存储器干扰大规模的在生产中使用nvm需要他们具有10年以上的数据保持能力。一个存储器单元阵列在编程和擦除中经受stress被称为干扰。具体而言有四种：dc erase, dc program, program disturb,和read disturb。在编程过程中最常见的两种干扰是dc program和program disturb，在擦除过程中最常见的则是dc erase，最后在读过程中的干扰被称为read disturb。图十六展示了一个存储器单元阵列电路图，它将被用于解释干扰现象。图十六，用于解释干扰现象的电路图在上图中，存储器单元阵列的列连接着每个单元的漏极，(col 1, col 2, and col
＞ф0.8 ±0.10mm 8、孔位差 hole position dcviation ±0.05mm 9、绝缘电阻 insuiation resistance ＞1014ω（常态）10、孔电阻 through hole resistance ≤300ｕω11、抗电强度 dielectric strength ≥1.6kv/mm 12、抗剥强度 peel-off strength 1.5v/mm 13、阻焊剂硬度 solder mask abrasion ＞5h 14、热冲击 thermal stress 288℃ 10sec 15、燃烧等级 flammability 94v-0 16、可焊性 solderability 235℃ 3s在内湿润翘曲度 board twist ＜0.01mm/mm 离子清洁度 tonic contamination ＜1.56微克/cm2 17、基材铜箔厚度： 1/2oz、1oz、2oz 18、镀层厚度： 一般为25微米，也可达到36微米19、常用基材： fr-4、fr-5、cem-1、cem-3、94vo、94hb20、客供资料方式：gerber文件、power
anybody can give me a translation?this paragraph is found in maxim data sheet, but i can't understand it well, can anybody help me to translate it?that is "these are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied."thank you!
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