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一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法
适合现在数码设备中大数据量的存储携带,可以降低成本,提高性能。 arm7tdmi是世界上广泛使用的32位嵌入式risc低端处理器内核,在基于arm7tdmi内核的soc( system on chip )芯片中集成nand flash控制器将大大扩宽芯片应用范围、降低芯片成本、提升产品性能。但是,nand型闪存的使用相对于nor型闪存在硬件设计和软件控制上都有相当的难度,值得在技术上进一步探索和研究。 2 nand flash的结构特点对其读写的限制笔者选用的nand flash是东芝tc58512ft(见图1) ,该款的nand flash 以528个byte 组成一个页(page) , 32个页组成一个块( block) ,由4096个块组成整个flash存储器。在每页中前512bytes是用于存储数据,而后16bytes则用于存放ecc数据校验码,称为oob(out of bank)区。对nand flash读出和写入是以页为单位,而对其擦除则是以块为单位,在存储组织上和硬盘采用的方式类似。在读出和写入时数据量都必须是页大小的整数倍,这一点上和norflash可以随机读写的方式完全不同,
SEP4O20在Linux NandFlash驱动中的应用
的内部结构和linux mtd层的框架，并基于这些研究提出了nandflash驱动的设计和实现。 1 nandflash的硬件特点 nand闪存芯片nand闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4gb的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，nand正被证明极具吸引力。nand的效率较高，是因为nand串中没有金属触点。nand闪存单元的大小比nor要小（4f2:10f2）的原因，是nor的每一个单元都需要独立的金属触点。以本文使用的东芝tc58512ft（64mnand）为例，分为4096块，每块有32页，每页有512b的数据区+16b的oob（out of band）区。（4096×32×512b=64mb），均通过8跟iom线串行控制，如图l所示。同时由于工艺限制，nand闪存中允许存在坏块。nand闪存的每一页有16b（页长度512b）的oob区用来存放ecc校验数据，ecc有效标志，坏块标志等。所有这些决定了于nand的存储系统设计需要处理不同于其它类型闪存特有问题。 2 mtd的nand结构 mtd（memoryt

U盘容量之怪现象
我有一个u盘自带的格式化程序，我有一个u盘自带的格式化程序，提示设备错误，还有其它的办法吗？以前有一次也是这个现象，我把它的两个ic拆下来，再重新焊回去就行了，而这次却不行。flashj是用东芝的tc58512ft，控制ic是一次邦定ic，不知道具体型号。

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