富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市
出处:电子产品世界 发布于:2007-11-27 14:33:57
富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低功耗、大量写入周期等特点,适用于汽车导航系统、多功能打印机、测量仪器及其它需使用非挥发性内存来储存各种参数、记录设备操作条件与保存安全信息的各项高阶应用。
FRAM组件的高速资料写入和大量写入周期功能,非常适合办公设备中储存事件计数或参数,以及记录各种事件等用途。FRAM组件可提供100亿次的读/写周期,相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。此外,FRAM组件不需电池即可储存资料达10年以上。即使当仪表设备等应用面临电源临时中断之情况,富士通的FRAM写入机制仍能确保资料可高速写入FRAM组件,而不会损失任何重要资料。
MB85R2001芯片组态为256K字数×8位;MB85R2002芯片组态为128K字数×16位。此两种格式的读取时间均为100ns,读/写周期则为150ns,操作电压则介于3V到3.6V之间。
相比于以电池供电的SRAM组件,FRAM无需使用电池的优势,可让顾客简化生产流程,并省去更换电池及产品维护的麻烦。与富士通其它所有的FRAM组件一样,MB85R2001和MB85R2002藉由减少材料使用量,以符合环保相关国际法规。
新款的2MbitFRAM组件与目前富士通正量产的1MbitFRAM组件——MB85R1001和MB85R1002,具备相同的电气特性,并采用TSOP-48封装方式。只需增加连接一个地址,顾客即可将1MbitFRAM组件转移至2Mbit的组件上。因此,顾客可根据所需的内存容量,在同一块印刷电路板上选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM组件。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 氩弧焊与电焊的优缺点,哪个更加结实2024/9/12 17:23:49
- 回调函数(callback)是什么?回调函数的实现方法2024/9/10 17:36:25
- 什么是数组?数组有什么用?2024/9/10 17:31:22
- 电驱动NVH的特点和结构2024/9/9 17:48:58
- 一文详解迁移学习2024/9/6 17:10:10