元器件应用

在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET

“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率...

分类:元器件应用 时间:2024-06-14 阅读:143 关键词:二极管,MOSFET  

Toshiba -东芝推出“XCUZ系列”浪涌保护齐纳二极管产品,适用于汽车设备

该系列产品符合AEC-Q101标准,适用于汽车设备(IVI[2]、ADAS[3]、BMS[4]等)。同时可避免受到各种来自车载ECU[1]电源线和连接器的噪声(静电放电(ESD)、纳秒级ESD、微秒级到毫秒级开关浪涌等)的影响,并防止系统...

分类:元器件应用 时间:2024-06-13 阅读:213 关键词:保护齐纳二极管

自耦变压器工作原理介绍及图解

自耦变压器(Autotransformer)是一种特殊类型的变压器,它只有一个绕组,但在电气上可以实现升压或降压的功能。自耦变压器与普通变压器的最大区别在于它们的绕组结构和能量传递方式。下面是对自耦变压器工作原理的...

分类:元器件应用 时间:2024-06-13 阅读:189 关键词:自耦变压器

adc0809模数转换程序及详解

一、ADC0809的主要特性8路输入通道,8位A/D转换器,即分辨率为8位。具有转换起停控制端。转换时间为100μs(时钟为640KHz时),130μs(时钟为500KHz时)。单个+5V电源供电。模拟输入电压范围0~+5V,不需零点和满刻...

分类:元器件应用 时间:2024-06-06 阅读:291 关键词:ADC0809

共模半导体推出40V,3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400,可替代ADI的ADR01等产品

『共模半导体』推出40V,3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400,GM7400是一款精密基准电压源,该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿,该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知...

分类:元器件应用 时间:2024-06-06 阅读:165 关键词:GM7400

Toshiba - 东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线,助力降低电源功耗

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中,开关电源起着不可忽视的作用,它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...

分类:元器件应用 时间:2024-06-05 阅读:235

什么是共模电感_共模电感的特性

共模电感(Common Mode Inductor),也称为共模扼流圈,是一种特殊的电感器件,主要用于抑制共模噪声(Common Mode Noise)。以下是关于共模电感的详细解释及其特性:  定义  共模电感是一种具有两个相邻线圈的...

分类:元器件应用 时间:2024-06-04 阅读:410 关键词:共模电感

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

碳化硅(SiC)如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示,与硅(Si)材料相比,SiC具有诸多技术优势,因此我们不难理解为何它已成为电动汽车(EV)、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中...

分类:元器件应用 时间:2024-05-31 阅读:253 关键词: SiC FET

整流桥接线方法及接线图

整流桥是一种电路元件,用于将交流电转换为直流电。它通常由四个二极管组成,排列成一个桥型电路。整流桥接线方法有两种常见的方式:全波整流和半波整流。  全波整流: ...

分类:元器件应用 时间:2024-05-30 阅读:435 关键词:整流桥

Onsemi -掌握这些要点,秒变碳化硅栅极驱动器选型专家

本文将阐述系统能效的重要性,并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准,包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外,我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。  能效提...

分类:元器件应用 时间:2024-05-29 阅读:158

排阻的详细说明

排阻又称网络电阻,它是由多个电阻器按一定的方式制作并封装在一起而构成的,排阻具有安装密度高和安装方便等优点,广泛用在数字电路系统中。  实物外形  常见的排阻实物外形如图1-37所示,前而两种为直插封装式...

分类:元器件应用 时间:2024-05-27 阅读:202 关键词:排阻

钽电解电容器(CA型)

钽电解电容器与铝电解电容器相比较,具有体积小、漏电流小、损耗低、温度特性好、稳定性好、寿命长等优点,但价格较高。钽电解电容器自身电感较小,多用于频率较高的交流电路中。  钽电解电容器分为固体钽电解电容...

分类:元器件应用 时间:2024-05-24 阅读:328 关键词:钽电解电容器

ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售

新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的...

分类:元器件应用 时间:2024-05-24 阅读:698 关键词:MOSFET栅极驱动器

tvs二极管简介、特性及应用

TVS二极管(Transient Voltage Suppression diode),也称为电压穿透型二极管,是一种专门设计用来保护电子设备不受过电压损坏的电子元件。  简介  TVS二极管通常是一种双向导通的二极管,能够在电路中对过电压...

分类:元器件应用 时间:2024-05-23 阅读:637 关键词:tvs二极管

pmos管的工作原理

PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管是一种常见的场效应晶体管(FET),其工作原理如下:  PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层,称为氧化层或门绝缘层。...

分类:元器件应用 时间:2024-05-20 阅读:266 关键词:pmos管

HF JFET 的偏置

结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。  在 HF 和 UHF 应用中,通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置(图 1)。  图 1:JFET 通常需...

分类:元器件应用 时间:2024-05-16 阅读:500 关键词:结型场效应晶体管

电感的单位是什么?

电感的单位是亨利(Henry),简称“亨”,符号用H表示。电感的基本单位是亨利,简称“亨”,符号用H表示。常用的单位还有毫亨(mH)和微亨(μH),它们之间的关系是:  1亨 = 1000毫亨 = 1000000微亨  电感是衡...

分类:元器件应用 时间:2024-05-15 阅读:324 关键词:电感

431中文资料规格参数

431晶体管(也称为431三极管、431晶体三极管)的规格参数主要包括以下几点:  制作材料:Si-Di(硅二极管)  性质:低频或音频放大(LF)、功率放大(PA)  封装形式:直插封装  极限工作电压:400V  最大...

分类:元器件应用 时间:2024-05-15 阅读:499 关键词:431

气敏元件的基本特性

1. SnO2 系  烧结型、薄膜型和厚膜型SnO2气敏元件对气体的灵敏度特性如图6—4所示。气敏元件的阻值与空气中被测气体的浓度C成对数关系变化。  在气敏材料SnO2中添加铂(Pt)或钯(Pd)等作为催化剂,可以提高其...

分类:元器件应用 时间:2024-05-15 阅读:387 关键词: 气敏元件

Melexis 为线控转向系统打造了一款具有功能安全性的磁传感器

Melexis 为线控转向系统打造了一款具有功能安全性的磁传感器。  Melexis MLX90427 磁传感器块  “对于线控转向系统等创新,位置传感器是一个关键组件,必须表现出卓越...

分类:元器件应用 时间:2024-05-10 阅读:479 关键词:磁传感器

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