安捷伦科技宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪，用来鉴定使用工艺技术(如65nm技术节点)制造的器件。通过Agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件。

　　Agilent 4075和4076为鉴定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物MOSFET，或通信应用中使用的高速半导体器件。这两款测试仪支持10ns短脉冲式IV测量，如高速逻辑应用中使用的SOI晶体管和高介电常数晶体管。此外，Agilent 4076支持直到1fA的超低电流测量功能。

　　与整个4070系列一样，Agilent 4075和4076支持行业标准300mm SECS/GEM自动化协议，保证制造设备共享一致的界面和行为。

　　现代超薄栅MOSFET容易受到电子隧道的影响。为鉴定其电容和电压(CV)行为特点，测量频率必需超过几兆赫。但是，高频CV (HFCV)及实现鉴定必需的射频频率CV (RFCV)测量技术之间相互抵触。Agilent 4075和4076同时支持HFCV (4294A)仪器和RFCV (ENA/PNA)仪器，使得用户能够选择方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。

　　Agilent 4075和4076都把高速电容测量单元(CMU)集成到测试头中。这一功能可以在1kHz - 2MHz频率范围内，对层间/层内氧化物进行快速电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。

　　安捷伦的这两款测试仪都支持利用PNA进行RF的S参数测试功能，相对于目前市面上使用VNA的解决方案，以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。此外，Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。

　　Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。