飞兆半导体推出30V同步降压转换器芯片组
出处:forthlab 发布于:2007-12-07 10:49:45
据介绍,通过PowerTrench MOSFET技术,高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)构成了一个芯片组,为同步降压转换器应用提供更大电流密度和更高效率。此外,FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术无须使用外部肖特基二极管,节省了电路板空间和装配成本。
该集成芯片组的米勒电荷(Miller)Qgd极低,并具有快速的开关速度和小于1的Qgd/Qgs比,限制了交叉导通(Cross-conduction)损耗的可能性。除Vcore设计之外,快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on)FDS6299S提供了配对使用的好处,适用于高端通信设备等应用的大电流负载点(POL)转换器。
FDS6298(高端)MOSFET的主要性能特性包括:低总Qg(9nC @ VGS=4.5V)和Qgd(3nC @ VGS=4.5V),并具有快速开关速度,能提高效率;优化的芯片和引线框架设计,能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗;规范的Rg和100%的Rg测试实现优良的漏源开关特性。
FDS6299S(低端)MOSFET的主要性能特性包括:低导通阻抗RDS(on)以减小DC损耗;低体二极管损耗(低QRR和低前向电压降)以提高效率;软恢复特性减少噪声,低Crss减小了交叉传导的可能性;低总Qg(31nC @ VGS=5V)降低了栅级驱动要求。
飞兆半导体计算解决方案市务经理David Grey称:“在同步降压转换器应用中,性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高,并且是改善电磁兼容性或EMI的指标。我们的技术减小了由直通引起的大电流尖峰的出现,故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外,与需要外部肖特基二极管的解决方案相比,该芯片组利用了配对的集成式SyncFET器件达到减少组件数量的目的。”
该芯片组产品均采用无铅SO-8封装,能达到甚至超过IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。目前此芯片组已发货,订购1,000个情况下,FDS6298单价为0.62美元,FDS6299S单价为1.18美元(以上仅供参考)。交货期在收到订单后12周内。
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