mems压力传感器
出处:维库电子市场网 发布于:2023-06-29 16:09:37
硅直接键合技术广泛应用于压力传感器和加速度计,是一种制备密封腔的重要的工艺手段。硅-硅直接键合技术制备压力传感器具有很大的优势:成本低,应力小,性能高,可以大规模生产。压力传感器分为两种,一种是基于压阻的变化,一种是基于电容的改变。压阻式压力传感器是在密封腔上面悬空的硅层上制备压敏电阻,随着压力的变化,硅膜的应力变化,相应的压阻发生变化,键合压阻式压力传感器。主要的工艺工艺步骤为:(1)衬底硅片进行腐蚀,腐蚀出要求的密封腔;(2)把衬底和另外一个硅片键合,并经过1000~
电容式压力传感器是在密封腔的底部和上面悬空的硅层上制备电容的上下极板,随着压力的变化,两个极板的距离发生变化,电容也就变化,键合电容式压力传感器。主要的工艺工艺步骤为:(1)衬底硅片进行腐蚀,腐蚀出要求的密封腔;(2)浓硼扩散,在硅片的表面和腔的底部形成一层P+层,作为电容的下极板。(3)把另外一个硅片氧化,然后与衬底键合,并经过1000~
键合技术还可以制备高温压力传感器,主要的工艺包括:(1)器件硅片用掩模层(比如光刻胶)掩模光刻后,用离子注入形成P++的压敏电阻器;(2)器件硅片除去光刻胶,与另外一个热氧化的硅片键合,形成了一个SOI结构;(3)器件硅片背面减薄和选择性腐蚀,除去器件硅片的其余硅,留下SiO2上面的P++的压敏电阻器;(4)硅片背面腐蚀出一个空腔;正面淀积高温金属并光刻,就可以制备一个完整的高温压力传感器,由于没有p-n结有关的泄漏和离子污染引起的电阻的不稳定性,并且重掺杂的电阻对温度不敏感,应用温度可以超过
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- DHT11传感器简介及数据传输过程2024/3/20 17:23:57
- 什么是DS18B20温度传感器,DS18B20温度传感器的优缺点2024/2/26 17:15:41
- 使用细铜线作为集成传感器和加热器进行温度控制2024/2/18 16:11:54
- 使用电感器改进现有设计2024/1/22 16:42:19
- 什么是SLAM?SLAM算法涉及的4要素2024/1/17 16:35:15
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命