闪速可擦除可编程只读存储器
出处:mm7989680 发布于:2008-11-20 10:36:45
闪速(Flash)EEPROM作为一种分立元件已经使用很多年了,它们在结构和运用等方面都与EEPROM类似。闪速EEPROM和EEPROM之间的基本差异就在于其写入处理方面,闪速EEPROM是基于热电子注人而不是隧道效应。“热”电子就是快速电子,它们由源极和漏极之间的高电位差来产生,其中一些“热”电子因受正的电荷控制栅的影响穿透隧道氧化层并存储在浮动栅上。由于这种效应使其写人时间减少到大约1011s,与普通EEPROM所必须的3~10ms相比是一个很大进步。另外,其编程电压仅是12V,而EEPROM是17V。第1个带有闪速EEPROM和EEPROM两种存储器的智能卡微控制器已经问世[Atmel],参看图1所示。这些芯片在制造过程中就把引导装人程序写入了EEPROM,然后,智能卡制造商可用来程序代码和数据。目前,闪速EEPROM单元的数据存储时间至少有10年保存期,至少有100 000次的写人/擦除循环,以及具有“字节的典型的页面大小。
图1 带有闪速EEPROM的AT89SC168智能卡微控制器的照片。上排的功能单元
(从左到右)是逻辑模块、RAM和CPU;下排(从左到右)包括EEPROM的电荷
泵和闪速EEPROM(由Atmel公司提供)
闪速EEPROM是掩膜编程ROM的良好替代品。采用带有闪速EEPROM的微控制器仅在减少预制ROM掩膜方面就可以为智能卡项目减少几个月的开发时间
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