测量稳压管的稳压值
出处:ccf_2004 发布于:2008-04-17 17:26:23
图中U。为高于被测稳压管稳压值的任意一个直流电源;RP为限制流过稳压管电流的电位器;R为保护电阻;电流表可选lOmA左右;电压表数值略大于稳压管稳压值即可。
图:测量稳压管稳压值电路
测试时,调节电位器皿,使电流表中的读数为工作电流(5-1OmA),此时电压表的读数就是被测稳压管的稳压值。
还有一种比较简单的测量方法,可以测出稳压二极管的稳压值。只要有一块像MF5O一样有LV刻度的万用表就可以进行测量,把万用表拨在RxlOk档(表内电池为l5V),红表笔接稳压二极管正极,黑表笔接稳压二极管负极,读出表针在LV刻度上的数值,然后再乘以10(因为LV刻度值是0-1.5V,而RxlOk档的电压是l5V)得出的数值就是稳压二极管的稳压值。用这种方法测得的稳压值比用晶体管图示代测出的稳压值基本相符,误差不大于0.5V。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 光耦详细应用教程2024/4/26 16:43:32
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”2024/4/26 15:56:19
- 可控硅的工作原理、分类、作用与三极管的区别、与场效应管区别、典型应用接线图2024/4/24 17:56:03
- N型和P型半导体的导电特性2024/4/24 17:34:41
- NPN与PNP的基础知识介绍2024/4/23 17:48:16
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命