非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等应用中减少成本和板卡空间。 

　　FM25H20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。　

　　Ramtron 战略市场拓展经理 Duncan Bennett 解释道：“对于那些需要在其新一代应用中提高数据采集能力，却不增加板卡空间的计量和打印机客户而言，这款 2Mb 串行 F-RAM 是自然的产品延伸。FM25H20 以相同的小占位面积，为半兆位串行 F-RAM 客户提供高达四倍的存储能力。除提升现有系统外，这种技术发展还推动 F-RAM 进入多个需要低功耗存储器而空间严重受限的新兴市场，如便携式医疗设备。”

产品特点

　　FM25H20是256K x 8位非易失性存储器，以高达40MHz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准SPI接口，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还备有软件和硬件写保护功能，能避免意外的写入与数据损坏。