0  引言

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT和其它电力电子器件一样，其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此，IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关键环节。

　　为解决IGBT的可靠驱动问题，本文给出1700V，200～300A IGBT的驱动和保护电路设计。

1  IGBT的工作特性

　　IGBT是一种电压型控制器件，它所需要的驱动电流与驱动功率非常小，可直接与模拟或数字功能块相接而不须加任何附加接口电路。IGBT的导通与关断是由栅极电压UGE来控制的，当UGE大于开启电压UGE（th）时IGBT导通，当栅极和发射极间施加反向或不加信号时，IGBT被关断。

　　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET基本相同，只需控制输入极 N 一沟道FET ，所以具有高输入阻抗特性。当  MOSFET 的沟道形成后，从  P+ 基极注入到  N 一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

　　IGBT与普通晶体三极管一样，可工作在线性放大区、饱和区和截止区，其主要作为开关器件应用。在驱动电路中主要研究IGBT的饱和导通和截止两个状态，使其开通上升沿和关断下降沿都比较陡峭。

2  IGBT驱动电路要求

　　在设计IGBT驱动时必须注意以下几点。

　　1）栅极正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响，必须正确选择。当正向驱动电压增大时，．IGBT的导通电阻下降，使开通损耗减小；但若正向驱动电压过大则负载短路时其短路电流IC随UGE增大而增大，可能使IGBT出现擎住效应，导致门控失效，从而造成IGBT的损坏；若正向驱动电压过小会使IGBT退出饱和导通区而进入线性放大区域，使IGBT过热损坏；使用中选12V≤UGE≤18V为好。

　　2）IGBT快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗。但在大电感负载下IGBT的开关频率不宜过大，因为高速开通和关断时，会产生很高的尖峰电压，极有可能造成IGBT或其他元器件被击穿。

　　3）选择合适的栅极串联电阻RG和栅射电容CG对IGBT的驱动相当重要。RG较小，栅射极之间的充放电时间常数比较小，会使开通瞬间电流较大，从而损坏IGBT；RG较大，有利于抑制dvce／dt，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗。

　　4）当IGBT关断时，栅射电压很容易受IGBT和电路寄生参数的干扰，使栅射电压引起器件误导通，为防止这种现象发生，可以在栅射间并接一个电阻。

3  HCPL-316J驱动电路

3.1  HCPL-316J内部结构及工作原理

　　HCPL-316J的内部结构如图1所示，其外部引脚如图2所示。

　　从图1可以看出，HCPL-316J可分为输入IC（左边）和输出IC（右边）二部分，输入和输出之间完满足高压大功率IGBT驱动的要求。

　　各引脚功能如下：

　　脚1（VIN+）正向信号输入；

　　脚2（VIN-）反向信号输入；

　　脚3（VCG1）接输入电源；

　　脚4（GND）输入端的地；

　　脚5（RESERT）芯片复位输入端；

　　脚6（FAULT） 故障输出，当发生故障（输出正向电压欠压或IGBT短路）时，通过光耦输出故障信号；

　　脚7（VLED1+）光耦测试引脚，悬挂；

　　脚8（VLED1-）接地；

　　脚9，脚10（VEE）给IGBT提供反向偏置电压；

　　脚11（VOUT）输出驱动信号以驱动IGBT；

　　脚12（VC）三级达林顿管集电极电源；

　　脚13（VCC2）驱动电压源；

　　脚14（DESAT） IGBT短路电流检测；

　　脚15（VLED2+）光耦测试引脚，悬挂；

　　脚16（VE）输出基准地。

　　其工作原理如图1所示。若VIN+正常输入，脚14没有过流信号，且VCC2-VE=12v即输出正向驱动电压正常，驱动信号输出高电平，故障信号和欠压信号输出低电平。首先3路信号共同输入到JP3，D点低电平，B点也为低电平，50×DMOS处于关断状态。此时JP1的输入的4个状态从上至下依次为低、高、低、低，A点高电平，驱动三级达林顿管导通，IGBT也随之开通。

　　若IGBT出现过流信号（脚14检测到IGBT集电极上电压=7V），而输入驱动信号继续加在脚1，欠压信号为低电平，B点输出低电平，三级达林顿管被关断，1×DMOS导通，IGBT栅射集之间的电压慢慢放掉，实现慢降栅压。当VOUT=2V时，即VOUT输出低电平，C点变为低电平，B点为高电平，50×DMOS导通，IGBT栅射集迅速放电。

3.2  驱动电路设计

　　驱动电路及参数如图3所示。

　　HCPL-316J左边的VIN+，FAULT和RESET分别与微机相连。R7，R8，R9，D5，D6和C12 起输入保护作用，防止过高的输入电压损坏IGBT，但是保护电路会产生约1μs延时，在开关频率超过100kHz时不适合使用。

　　在输出端，R5和C7关系到IGBT开通的快慢和开关损耗，增加C7可以明显地减小dic／dt。首先计算栅极电阻：其中ION为开通时注入IGBT的栅极电流。为使IGBT迅速开通，设计，IONMAX值为20A。输出低电平VOL=2v。可得

　　C3是一个非常重要的参数，主要起充电延时作用。当系统启动，芯片开始工作时，由于IGBT的集电极C端电压还远远大于7V，若没有C3，则会错误地发出短路故障信号，使输出直接关断。当芯片正常工作以后，假使集电极电压瞬间升高，之后立刻恢复正常，若没有C3，则也会发出错误的故障信号，使IGBT误关断。但是，C3的取值过大会使系统反应变慢，而且在饱和情况下，也可能使IGBT在延时时间内就被烧坏，起不到正确的保护作用， C3取值100pF，其延时时间

　　在集电极检测电路用两个二极管串连，能够提高总体的反向耐压，从而能够提高驱动电压等级，但二极管的反向恢复时间要很小，且每个反向耐压等级要为1000V，一般选取BYV261E，反向恢复时间75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出现过流信号后具有的软关断特性，其原理是C5通过内部MOSFET的放电来实现软关断。图3中输出电压VOUT经过两个快速三极管推挽输出，使驱动电流能达到20A，能够快速驱动1700v、200-300A的IGBT。

3．3  驱动电源设计

　　在驱动设计中，稳定的电源是IGBT能否正常工作的保证。如图4所示。电源采用正激变换，抗干扰能力较强，副边不加滤波电感，输入阻抗低，使在重负载情况下电源输出电压仍然比较稳定。

　　当s开通时，+12v（为比较稳定的电源，很高）电压便加到变压器原边和S相连的绕组，通过能量耦合使副边经过整流输出。当S关断时，通过原边二极管和其相连的绕组把磁芯的能量回馈到电源，实现变压器磁芯的复位。12v经过R1，D2给C1充电，其充电时间t1≈R1C2ln2；放电时间t2=R2C1ln2，充电时输出高电平，放电时输出低电平。所以占空比=t1／（t1+t2）。

　　变压器按下述参数进行设计：原边接+12v，频率为60kHz，工作磁感应强度Bw为O.15T，副边+15v输出2A，-5v输出1 A，效率n=80％，窗口填充系数Km为O.5，磁芯填充系数Kc为1，线圈导线电流密度d为3 A／mm2。则输出功率

　　PT=（15+O.6）×2×2+（5+O.6）×1×2=64W。

　　变压器磁芯参数

　　由于带载后驱动电源输出电压会有所下降，所以，在实际应用中考虑提高频率和占空比来稳定输出电压。

4  结语

　　本文设计了一个可驱动l700v，200～300A的IGBT的驱动电路。硬件上实现了对两个IGBT（同一桥臂）的互锁，并设计了可以直接给两个IGBT供电的驱动电源。