英飞凌为Galaxy S5提供多达8种射频器件
出处:电子工程专辑 发布于:2014-07-18 10:48:22
英飞凌科技股份公司日前宣布全面支持三星Galaxy S5,可提供共计8种射频器件。该德国半导体制造商在LTE低噪声放大器(LNA)、四频LNA Bank、GPS LNA和SPDT射频开关等领域是理想的合作伙伴。
“智能手机市场中的创新速度令人惊叹。快速提供更高集成度更小体积的新产品是成功的关键。三星等智能手机制造商选择我们为用户提供可靠服务和更多功能,我们为此感到骄傲。”英飞凌科技有限公司副总裁兼射频与防护器件业务部总经理Philipp von Schierstaedt说道。
英飞凌LTE LNA和四频LNA Bank经过专门设计,在采用英飞凌的LTE LNA后,可使智能手机数据传输速率明显提高(49%@10dB输入信噪比),因此能够充分发挥LTE通信标准的潜能。GPS LNA可有效防止手机中其他信号的干扰,确保可靠的导航功能。此外,选用英飞凌SPDT射频开关可将射频信号可靠地发送至指定路径。
S5是三星电子公司旗舰智能手机的型号。该款智能手机配备两个内置Wifi天线和一个加速器,结合LTE和Wifi数据传输即可实现无与伦比的数据传输速率。正式发布后的个月内,该款基于Android的智能手机即已售出超过1,100万部。
英飞凌为移动设备和蜂窝基础结构提供大量产品组合,包括射频器件、TVS二极管、硅麦克风和功率管理IC。
三星Galaxy S5包含下列英飞凌器件:
LTE LNA(低噪声放大器)
●BGA7L1N6
●BGA7M1N6
●BGA7H1N6
四频LTE LNA Bank
●BGM7MLLM4L12
●BGM7LLHM4L12
GPS LNA
●BGA824N6S
SPDT射频开关
●BGS12PL6
●BGS12SL6
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