单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。
　　单片机的发展历程
　　认识单片机，从台开始！
　　1971年intel公司研制出世界上个4位的微处理器；Intel公司的霍夫研制成功世界上块4位微处理器芯片Intel 4004，标志着代微处理器问世，微处理器和微机时代从此开始。
　　到上世纪80年代，随着工业控制领域要求的提高，开始出现了16位单片机。90年代后随着消费电子产品大发展，单片机技术得到了巨大提高。现已发展到300M的高速单片机。
　　关于单片机的发展历程，小瓦君给大家整理了两个版本
　　一、按产品划分
　　1、SCM单片微型计算机（Single Chip Microcomputer）阶段
　　主要是寻求的单片形态嵌入式系统的体系结构。“创新模式”获得成功，奠定了SCM与通用计算机完全不同的发展道路。在开创嵌入式系统独立发展道路上，Intel公司功不可没。
　　2、MCU微控制器(Micro Controller Unit)阶段
　　主要的技术发展方向是：不断扩展满足嵌入式应用时，对象系统要求的各种外围电路与接口电路，突显其对象的智能化控制能力。
　　它所涉及的领域都与对象系统相关，因此，发展MCU的重任不可避免地落在电气、电子技术厂家。从这一角度来看，Intel逐渐淡出MCU的发展也有其客观因素。在发展MCU方面，着名的厂家当数Philips公司。Philips公司以其在嵌入式应用方面的巨大优势，将MCS-51从单片微型计算机迅速发展到微控制器。因此，当我们回顾嵌入式系统发展道路时，不要忘记Intel和Philips的历史功绩。
　　3、SoC嵌入式系统(System-on-a-Chip)阶段
　　SoC嵌入式系统的独立发展之路，向MCU阶段发展的重要因素，就是寻求应用系统在芯片上的化解决；因此，专用单片机的发展自然形成了SoC化趋势。随着微电子技术、IC设计、EDA工具的发展，基于SoC的单片机应用系统设计会有较大的发展。因此，对单片机的理解可以从单片微型计算机、单片微控制器延伸到单片应用系统。
　　二、按时间划分
　　阶段（1976-1978）单片机的控索阶段
　　以Intel公司的MCS– 48为代表。MCS – 48的推出是在工控领域的控索，参与这一控索的公司还有Motorola Zilo等，都取得了满意的效果。这就是SCM的诞生年代，“单机片”一词即由此而来。
　　第二阶段（1978-1982）单片机的完善阶段
　　Intel公司在MCS – 48 基础上推出了完善的、典型的单片机系列MCS –51。它在以下几个方面奠定了典型的通用总线型单片机体系结构。
　　①完善的外部总线。MCS-51设置了经典的8位单片机的总线结构，包括8位数据总线、16位地址总线、控制总线及具有很多机通信功能的串行通信接口。
　　②CPU外围功能单元的集中管理模式。
　　③体现工控特性的位地址空间及位操作方式。
　　④指令系统趋于丰富和完善，并且增加了许多突出控制功能的指令。
　　第三阶段（1982-1990）单片机向微控制器发展阶段
　　同时也是8位单片机的巩固发展及16位单片机的推出阶段。Intel公司推出的MCS –96系列单片机，将一些用于测控系统的模数转换器、程序运行监视器、脉宽调制器等纳入片中，体现了单片机的微控制器特征。
　　随着MCS –51系列的广应用，许多电气厂商竞相使用80C51为内核，将许多测控系统中使用的电路技术、接口技术、多通道A/D转换部件、可靠性技术等应用到单片机中，增强了外围电路路功能，强化了智能控制的特征。
　　第四阶段（1990至今）：微控制器的全面发展阶段。
　　随着单片机在各个领域全面深入地发展和应用，出现了高速、大寻址范围、强运算能力的8位/16位/32位通用型单片机，以及小型廉价的专用型单片机。
　　单片机发展趋势
　　目前，单片机正朝着高性能和多品种方向发展趋势将是进一步向着CMOS化、低功耗、小体积、大容量、高性能、低价格和外围电路内装化等几个方面发展。
　　CMOS化
　　近年由于CHMOS技术的进小，大大地促进了单片机的CMOS化。CMOS芯片除了低功耗特性之外，还具有功耗的可控性，使单片机可以工作在功耗精细管理状态。这也是今后以80C51取代8051为标准MCU芯片的原因。因为单片机芯片多数是采用CMOS（金属栅氧化物）半导体工艺生产。CMOS电路的特点是低功耗、高密度、低速度、低价格。
　　采用双极型半导体工艺的TTL电路速度快，但功耗和芯片面积较大。随着技术和工艺水平的提高，又出现了HMOS（高密度、高速度MOS）和CHMOS工艺。
　　CHMOS和HMOS工艺的结合。目前生产的CHMOS电路已达到LSTTL的速度，传输延迟时间小于2ns，它的综合优势已在于TTL电路。因而在单片机领域CMOS正在逐渐取代TTL电路。
　　低功耗化
　　单片机的功耗已从Ma级，甚至1uA以下；使用电压在3~6V之间，完全适应电池工作。低功耗化的效应不仅是功耗低，而且带来了产品的高可靠性、高抗干扰能力以及产品的便携化。
　　低电压化
　　几乎所有的单片机都有WAIT、STOP等省电运行方式。允许使用的电压范围越来越宽，一般在3~6V范围内工作。低电压供电的单片机电源下限已可达1~2V。目前0.8V供电的单片机已经问世。
　　高性能化
　　主要是指进一步改进CPU的性能，加快指令运算的速度和提高系统控制的可靠性。采用精简指令集（RISC）结构和流水线技术，可以大幅度提高运行速度。
　　现指令速度者已达100MIPS（Million Instruction Per Seconds，即兆指令每秒），并加强了位处理功能、中断和定时控制功能。这类单片机的运算速度比标准的单片机高出10倍以上。由于这类单片机有极高的指令速度，就可以用软件模拟其I/O功能，由此引入了虚拟外设的新概念。
　　大容量化
　　以往单片机内的ROM为1KB~4KB，RAM为64~128B。但在需要复杂控制的场合，该存储容量是不够的，必须进行外接扩充。为了适应这种领域的要求，须运用新的工艺，使片内存储器大容量化。
　　目前，单片机内ROM可达64KB，RAM为2KB。