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Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

出处:维库电子市场网 发布于:2018-06-14 15:36:31 | 241 次阅读

  2018年6月1日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求,适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。
  英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品,这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品,其他组合封装解决方案的功率仅为其75%。
  新器件的高功率密度允许设计人员升级现有设计,开发输出功率提高最多25%的新平台,或者减少并联功率器件数量,从而实现更紧凑的设计。独一无二的组合封装40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面贴装。这可支持轻松焊接,实现快速且可靠的贴装生产线。
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