JTAG和支持JTAG的CPU
出处:电子产品世界 发布于:2018-06-19 13:51:00
通常所说的JTAG大致分两类,一类用于测试芯片的电气特性,检测芯片是否有问题;一类用于Debug。一般支持JTAG的CPU内都包含了这两个模块。
一个含有JTAG Debug接口模块的CPU,只要时钟正常,就可以通过JTAG接口访问CPU的内部寄存器和挂在CPU总线上的设备,如FLASH,RAM,SOC(比如4510B,44Box,AT91M系列)内置模块的寄存器,象UART,Timers,GPIO等等的寄存器。
下面是一个设置AT91M40800的命令序列,关闭中断,设置CS0-CS3, 并进行Remap,适用于AXD(ADS带的Debug)
setmem 0xfffff124,0xFFFFFFFF,32 ---关闭所有中断
setmem 0xffe00000,0x0100253d,32 ---设置CS0 0xffe00004,0x02002021,32 ---设置CS1
setmem 0xffe00008,0x0300253d,32 ---设置CS2
setmem 0xffe0000C,0x0400253d,32 ---设置CS3
setmem 0xffe00020,1,32 ---Remap
如果要在ADW(SDT带的DEBUG)中使用,则要改为:
let 0xfffff124=0xFFFFFFFF ---关闭所有中断
let 0xffe00000=0x0100253d ---设置CS0
let 0xffe00004=0x02002021 ---设置CS1
let 0xffe00008=0x0300253d ---设置CS2
let 0xffe0000C=0x0400253d ---设置CS3
let 0xffe00020=1 ---Remap
为了方便使用,可以将上述命令保存为一个文件config.ini, 在Console窗口输入 ob config.ini 即可执行。
使用其他debug,大体类似,只是命令和命令的格式不同。
设置RAM时,设置的寄存器以及寄存器的值必须和要运行程序的设置一致。一般编译生成的目标文件是ELF格式,或类似的格式,包含有目标码运行地址,运行地址在Link时候确定。
Debug程序时根据ELF文件中的地址信息程序到指定的地址。如果在把RAM的基地址设置为0x10000000, 而在编译的时候指定Firmware的开始地址在0x02000000, 的时候,目标码将被到0x02000000,显然会失败。
使用这种方式,比起FlashPGM的写Flash,速度似乎要快一些。
01关于简单JTAG电缆
目前有各种各样简单JTAG电缆,其实只是一个电平转换电路,同时还起到保护作用。JTAG的逻辑则由运行在PC上的软件实现,所以在理论上,任何一个简单JTAG电缆,都可以支持各种应用软件,如Debug等。
我就曾使用同一个JTAG电缆写Xilinx CPLD,AXD/ADW调试程序。关键再于软件的支持,大多数软件都不提供设定功能,因而只能支持某种JTAG电缆。
关于简单JTAG电缆的速度。JTAG是串行接口,使用打印口的简单JTAG电缆,利用的是打印口的输出带锁存的特点,使用软件通过I/O产生JTAG时序。
由JTAG标准决定,通过JTAG写/读一个字节要一系列的操作,根据我的分析,使用简单JTAG电缆,利用打印口,通过JTAG输出一个字节到目标板,平均需要43个打印口I/O, 在我机器上(P4 1.7G),每秒大约可进行660K次 I/O 操作,所以速度大约在660K/43, 约等于15K Byte/S. 对于其他机器,I/O速度大致相同,一般在600K ~ 800K.
02关于如何提高JTAG速度
很明显,使用简单JTAG电缆无法提高速度。要提高速度,大致有两种办法:
1、使用嵌入式系统提供JTAG接口,嵌入式系统和微机之间通过USB/Ethernet相连,这要求使用MCU。
2、使用CPLD/FPGA提供JTAG接口,CPLD/FPGA和微机之间使用EPP接口(一般微机打印口都支持EPP模式),EPP接口完成微机和CPLD/FPGA之间的数据传输,CPLD/FPGA完成JTAG时序。
这两种方法本人都实现过。
个方法可以达到比较高的速度,实测超过了200KByte/S(注意:是Byte,不是Bit);但是相对来说,硬件复杂,制造相对复杂。
第二种相对来说,速度要慢一些,快时达到96KByte/S,但电路简单,制造方便,而且速度可以满足需要。第二种方案还有一个缺点,由于进行I/O操作时,CPU不会被释放,因此在程序时,微机CPU显得很繁忙。
总的来说,本人认为,对于个人爱好者来说,第二种方法更可取。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试2024/4/26 17:31:11
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求2024/4/26 16:36:19
- Keysight - 是德科技联合 ETS Lindgren 推出创新 NB-NTN OTA 测试解决方案2024/4/25 15:59:02
- 三坐标测量仪使用步骤及注意事项2024/4/11 17:54:47
- 如何提高接地电阻2024/4/11 16:38:47
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命