对单片机存储分配新的认识
出处:21ic 发布于:2018-09-18 14:18:11
51单片机存储器采用的是哈佛结构,即是程序存储器空间和数据存储器空间分开,程序存储器和数据存储器各自有自己的寻址方式、寻址空间和控制系统。
51存储器可以分为
程序存储器ROM:用于存放程序和表格之类的固定常识。C51编程中用code关键词声明。
内部数据存储器RAM:51子系列有128字节RAM,52子系列有256字节RAM
特殊功能寄存器SFR:80H-FFH字节地址的RAM
位地址空间:片内RAM0x20-0x2f空间,本空间允许按位或者字节寻址。可用bdata进行声明。
外部数据寄存器RAM:片外的RAM,寻址空间2^16即是64K大RAM。Pdata用于声明片外页RAM空间为0-255;xdata用于声明外部RAM空间为0-65535.
内部可直接寻址RAM结构图
此外data用于片内直接寻址RAM空间0-127;idata用于片内间接寻址RAM空间0-255。
二、C51增加的修饰符说明
C51变量声明方式:
存储类说明符 类型说明符 修饰符 标识符;
例如:static unsigned char idata temp;
存储类说明符:包括auto、extern、static、register;
符号说明符:包括unsigned char、char、unsigned int、int、long、unsigned long、float、bit、sfr、sft16、sbit;
修饰符:包括data、idata、pdata、xdata、bdata、code;
此外,在编译C51源程序时可选用三种存储模式之一:即小模式(small)、紧凑模式(compact)、大模式(large)。三种模式的ROM空间相同,而三种模式的默认RAM空间:对small模式来说,就是片上RAM的所用空间data和idata;对compact模式来说,是片外pdata空间;large模式,为片外xdata空间;
以上就是对这几天对8051的重新认识,当然不是很全面。在此之前,一直对其存储结构不是太明了。现在多少有一些许了解了,很是兴奋。另外,现在市场上的51内核芯片与之前传统的还是有些许不同的,具体不同之处就需要认真读读供应商的文档资料了。举个例子来说,STC的89c51系列单片机,其ROM空间可以根据信号来判别,其RAM的型号89C51,就有256字节内部RAM和扩展的256字节外部RAM,其内部还有4K的EEPROM。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- Microchip 发布PIC16F13145系列MCU,促进可定制逻辑的新发展2024/4/23 15:34:17
- 什么是MCU2024/3/25 17:05:40
- 了解GD32单片机和STM32单片机2024/3/13 14:17:13
- STM32F103单片机概述2024/3/13 14:13:33
- 什么是DSP?DSP的分类2024/1/22 16:38:45
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命