将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
　　判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
　　二、晶体管的测量
　　1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）
　　对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：
　　将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。
　　2.判别发射极和集电极
　　由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。
　　在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。
　　将万用表拨在R×1K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的，对于NPN型，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。对于PNP型，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极。
　　这种判别电极方法的原理是，利用万用表内部的电池，给三极管的集电极、发射极加上电压，使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时，就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流，使其导通，此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正确判别出发射极、集电极来。
　　下面是三极管的架构以及在电路图中的各种标识方法
　　

　　

　　

　　用万用表检测三极管
　　按图12所示．可检查三极管的Iceo。一般锗中、小功率管实测阻值应在10～20kΩ以上，硅管应在100kΩ以上． 实际上绝大多数管子均看不出表针摆动，即示值为无穷大．若实测阻值太小，表明Iceo很大，这种管子不能使用；若阻值近于零，说明管子C、E已击穿。用同样方法可检查Icbo．只需将表笔改接B、C极．并注意测其反向电阻即可。
　　在测IcEo基础上，再接一个lOkΩ（硅管）或20kΩ（锗管）电阻，如图12中虚线所示．便可检查管子放大系数Hfe。接上电阻后表针示值变小越多，说明管子hFE越大；若阻值不变或改变很小。说明管子损坏或放大能力很差。实测中也可用手（需较湿）捏牢B、C极来代替电阻．这是利用人体电阻的一种方法。现在许多万用表均设有三极管测试挡（孔），可直接粗略测出管子hFE及判断出B、E、c极．实践中应尽量采用这种测试方法．
　　3．结型场效应管粗略检测
　　用万用表R*100档，实测3DJ6等型管G极对另两电极的正向电阻应为4-10K，反向电阻应为无穷大；实测D、S极间电阻“正反”测均应为数K。若实测值不符要求，说明管子已坏或性能差。

　　将万用表打到二极管档（蜂鸣档）对三极管测量时，首先我们要确定哪只脚是b极。用红表笔接触其中任意一只脚不动，黑表笔去接触另外两只脚，如果能够测得两组相近且小于1的数字，说明此时红笔接触的就是b极。如果测得两组数字不相近，那说明此时红笔接触的不是b极应把红笔换一只脚，黑笔去测另外两只脚，直到找到b极为止。如果我们知道了哪只脚是b极，怎样去判断另外两只脚哪个是c极和e极呢？如下图：
　

　　图中红笔为b极。黑笔在另外两脚分别测得两组相近的数据，其中有一组数据会稍微大一点，此脚即为e极，小的那脚则为c极。并且我们知道此管为NPN型三极管，因为红笔在b 极！而对于PNP型三极管的测量方法也一样，只不过是黑表笔在b极，红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据，如下图：
　　

　　下面是对场效应管的测量方法。
　　场效应管英文缩写为FET，可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管，而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。
　　下图为MOS管的标识：
　　

　　　　我们主板中常用的MOS管中GDS三个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正从左到右分别为G极D极S极！ 如下图：
　

　　测量顺序为：
　　1.用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电，然后用红表笔接S极，黑表笔接D极。如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。
　

　　2.黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1。

　　3.红笔移回到S极，此时管子应该为导通。
　　4.然后红笔测D极，而黑笔测S极，应该测得数值为1。（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的。不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这一步时先短接三个引脚给管子放电）。
　　5.然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1。
　　到此我们可以判定此N沟道场管为正常，有的人说后面两步可以省略不测，不过我习惯性把五个步骤全用上，个人习惯问题！！！当然，对然P沟道的测量步骤也一样，只不过步为黑表笔测S极，红表笔测D极，可以测得500多的数值。

　　我对结型的理解是测量时D极和S极之间是导通的，如果红表笔接G极，黑表笔分别去接触DS极应该可以测得两组相近的数值，此管为N沟道。如果黑表笔接G极，红表笔分别去接触DS极应该可以测得两组相近的数值，此管为P沟道。