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Transphorm发布第二款900V GaN FET

出处:EEWORLD 发布于:2019-06-27 15:06:16 | 905 次阅读

  日前,设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司,宣布推出其第二款900V FET,Gen III TP90H050WS(现已开始提供样品),增强了业界唯一的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度,效率和功率密度。此外,新的FET平台基于Transphorm的650V前身,唯一符合JEDEC和AEC-Q101标准的HV GaN技术。
  TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ,瞬态额定值为1000V,采用标准TO-247封装。它可以在典型的半桥中达到8kW的功率水平,同时保持超过99%的效率。其Ron * Qoss(谐振开关拓扑)和Ron * Qrr(硬开关桥拓扑)的品质因数比生产中常见的超结技术低2-5倍,可使开关损耗大大降低。虽然JEDEC认证的版本定于2020年第一季度发布,但客户现在可以设计900V GaN电源系统。
  Transphorm首款900V器件TP90H180PS(TO-220封装的典型导通电阻为170mΩ)获得JEDEC认证,自2017年起通过Digi-Key提供。它可以达到99%的峰值效率,适用于3.5kW单相逆变器
  “Transphorm最新的900V GaN产品代表了商用GaN功率晶体管的一个重要里程碑,因为它达到了1kV的标准,这是业界第一,”联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示。 “这为GaN在这些更高电压节点上的可行选择铺平了道路,ARPA-E部分资金用于早期降低风险,获得了Power America的初始产品认证,这项努力代表了成功的合作伙伴关系,加速了GaN的市场采用。”
  Transphorm表示,其900V平台为其650V FET(如可再生能源,汽车和各种广泛的工业应用)所针对的系统提供更高的电压水平。它被设计用于无桥图腾柱功率因数校正(PFC),用于DC-DC转换器和逆变器的半桥配置。在更高的电压下支持这些拓扑的能力扩展了Transphorm的目标应用,包括一系列三相工业应用,例如不间断电源(UPS)和更高电池电压节点的汽车充电器/转换器。
  “900V GaN功率器件消除了目前不支持GaN半导体的应用的障碍,”PowerAmerica的副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis指出,该公司曾经资助了该项目。“通过900V平台的创新,Transphorm正在推动行业发展,创造新的客户机会。”他评论道。
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关键词:TransphormGaN_FET

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