日前，设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司，宣布推出其第二款900V FET，Gen III TP90H050WS（现已开始提供样品），增强了业界的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。此外，新的FET平台基于Transphorm的650V前身，符合JEDEC和AEC-Q101标准的HV GaN技术。
　　TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ，瞬态额定值为1000V，采用标准TO-247封装。它可以在典型的半桥中达到8kW的功率水平，同时保持超过99％的效率。其Ron * Qoss（谐振开关拓扑）和Ron * Qrr（硬开关桥拓扑）的品质因数比生产中常见的超结技术低2-5倍，可使开关损耗大大降低。虽然JEDEC的版本定于2020年季度发布，但客户现在可以设计900V GaN电源系统。
　　Transphorm首款900V器件TP90H180PS（TO-220封装的典型导通电阻为170mΩ）获得JEDEC，自2017年起通过Digi-Key提供。它可以达到99％的峰值效率，适用于3.5kW单相逆变器。
　　“Transphorm的900V GaN产品代表了商用GaN功率晶体管的一个重要里程碑，因为它达到了1kV的标准，这是业界，”联合创始人兼运营官Primit Parikh表示。 “这为GaN在这些更高电压节点上的可行选择铺平了道路，ARPA-E部分资金用于早期降低风险，获得了Power America的初始产品，这项努力代表了成功的合作伙伴关系，加速了GaN的市场采用。”
　　Transphorm表示，其900V平台为其650V FET（如可再生能源，汽车和各种广泛的工业应用）所针对的系统提供更高的电压水平。它被设计用于无桥图腾柱功率因数校正（PFC），用于DC-DC转换器和逆变器的半桥配置。在更高的电压下支持这些拓扑的能力扩展了Transphorm的目标应用，包括一系列三相工业应用，例如不间断电源（UPS）和更高电池电压节点的汽车充电器/转换器。
　　“900V GaN功率器件消除了目前不支持GaN半导体的应用的障碍，”PowerAmerica的副执行董事兼技术官Victor Veliadis指出，该公司曾经资助了该项目。“通过900V平台的创新，Transphorm正在推动行业发展，创造新的客户机会。”他评论道。