富士通业内密度8Mbit ReRAM将量产
出处:电子发烧友 发布于:2019-08-08 17:07:59
富士通电子提供各种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 产品,能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电子的FRAM产品以的非挥发性内存闻名,尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时,也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存,因为他们的应用仅需少量的写入次数,却极频繁地读取数据。
为满足此需求,富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为密度的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。
“MB85AS8MT”的特色在于即使拥有超高密度,仍能达到极小的平均读取电流。例如,在5MHz的工作频率下,平均读取电流为0.15mA,仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。
因此,在需要透过电池供电的产品中,像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中,透过此内存的超低读取电流特性,该产品即能大幅降低电池的耗电量。
在5MHz的工作频率下,
MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%
除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适用于装设在小型穿戴装置中。
MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP
高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格,成为适合用于需以电池供电的小型穿戴装置的内存,例如助听器、智能手表及智能手环等。
富士通电子将持续致力研发内存,支持客户对各种特殊应用的需求。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 电压表的工作原理是什么2024/9/23 17:24:17
- 使用 Arduino 构建电阻色码计算器和欧姆表2024/9/23 16:12:07
- 科普什么是电压跟随器2024/9/20 17:35:23
- 安全可调式调节器2024/9/20 17:10:24
- FFT 和示波器:实用指南2024/9/20 16:57:06