这样的干货看的才舒心!运算放大器常见指标及重要特性
出处:电子工程专辑 发布于:2020-01-08 15:31:09
定义:在运放开环使用时, 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。
优劣范围:1 V 以下,属于极的。100 V 以下的属于较好的。的有几十mV。
对策:
1、选择 VOS远小于被测直流量的放大器,
2、过运放的调零措施消除这个影响
3、如果你仅关心被测信号中的交变成分,你可以在输入端和输出端增加交流耦合电路,将其消除。
如果 IB1=IB2,那么选择 R1=R2//RF,可以使电流形成的失调电压会消失。但实际中IB1=IB2很难满足 失调电压漂移(Offset Voltage Drift)
定义:当温度变化( V/°C)、时间持续( V/MO)、供电电压( V/V)等自变量变化时, 输入失调电压会发生变化。
后果:很严重。因为它不能被调零端调零,即便调零完成,它还会带来新的失调。
对策:, 就是选择高稳定性,也就是上述漂移系数较小的运放。第二,有些运放具有自归零技术,它能不断地测量失调并在处理信号过程中把当前失调电压减掉。
输入偏置电流(Input bias current, IB)
定义:当输出维持在规定的电平时,两个输入端流进电流的平均值。Ib=(Ib1+Ib2)/2优劣范围:60fA~100 A。
后果:,当用放大器接成跨阻放大测量外部微小电流时,过大的输入偏置电流会分掉被测电流,使测量失准。第二,当放大器输入端通过一个电阻接地时,这个电流将在电阻上产生不期望的输入电压。
对策:为避免输入偏置电流对放大电路的影响,主要的措施是选择 IB较小的放大器。
输入失调电流(Input offset current, IOS)定义:当输出维持在规定的电平时,两个输入端流进电流的差值。
优劣范围:20fA~100 A。Ib=Ib1-Ib2
后果:失调电流的存在,说明两个输入端客观存在的电流有差异,无法用外部电阻实现匹配抵消偏置电流的影响。
噪声指标(Noise)
运放常见的噪声根源有两类,一类为 1/f 噪声,其电能力密度曲线随着频率的上升而下降; 一类为白噪声,或者叫平坦噪声,其电能力密度曲线是一条直线,与频率无关。
如何根据datasheet估算运放的噪声
如何计算电阻的噪声
噪声的有效值和峰峰值关系:噪声峰峰值为噪声有效值的 6.6 倍。
输入电压范围(Input Voltage Range)
定义:保证运算放大器正常工作的输入电压范围。也称为共模输入电压范围。
当运放输入电压范围与电源范围比较接近时,比如相差 0.1V 甚至相等、超过,都可以叫“输入轨至轨”,表示为 Rail-to-rail input,或 RRI。
理解:运放的两个输入端,任何一个的输入电压超过此范围,都将引起运放的失效。注意,超出此范围并不代表运放会被烧毁,但参数中出现的此值是坚决不能超过的。
输出电压范围(VOH/VOL 或者 Swing from rail)定义:在给定电源电压和负载情况下,输出能够达到的电压范围。当运放的输出范围已经接近于电源电压范围时,就自称“输出轨至轨”,表示为 Rail-to-rail output,或 RRO。
理解:在没有额外的储能元件情况下,运放的输出电压不可能超过电源电压范围,随着负载的加重,输出值与电源电压的差异会越大。
输出电压范围,或者输出至轨电压有如下特点:
1) 正至轨电压与负至轨电压的可能不一致,但一般情况下数量级相同;2) 至轨电压与负载密切相关,负载越重(阻抗小) 至轨电压越大;3) 至轨电压与信号频率相关,频率越高,至轨电压越大,甚至会突然大幅度下降;4) 至轨电压在 20mV 以内,属于非常。
5) RRIO(输入输出均轨至轨)
下一篇:二极管的反向恢复过程
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 光耦详细应用教程2024/4/26 16:43:32
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”2024/4/26 15:56:19
- 可控硅的工作原理、分类、作用与三极管的区别、与场效应管区别、典型应用接线图2024/4/24 17:56:03
- N型和P型半导体的导电特性2024/4/24 17:34:41
- NPN与PNP的基础知识介绍2024/4/23 17:48:16
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命