凌特公司（Linear Technology Corporation）推出反激式控制器 LT3750，可对大电容器快速充电至高达 1,000V。LT3750 驱动一个外部大电流 N 沟道 MOSFET，能够在低于 300ms 的时间内将 100uF 的电容器充电至 300V，非常适用于照相闪光灯系统、射频保安系统、库存控制系统和专门的高压电源。该器件的 3V 至 24V 输入电压范围使其能够用多种电源工作，其获得的边沿模式控制电路限度地降低了转换损耗，并缩小了变压器尺寸。该器件采用纤巧的 MOSP-10 封装，可提供非常紧凑的高压/大电流电容器充电器解决方案。

　　LT3750 的主边检测拓扑消除了对外部输出电压分压器的需求。它采用单个大电流 N 沟道 MOSFET，具有高于 90% 的充电效率。78mV 的低电流检测准确地限制了峰值开关电流，同时优化了效率。输出电压可以非常容易地用变压器匝数比和两个外部电阻来调节。其它特点包括一个充电引脚使用户可全面控制 LT3750，以及指示电容器已达到其编程值并停止充电的 DONE 引脚。

　　采用 10 引线 MSOP-10 封装的 LT3750EMS 有现货供应。以 1,000 片为单位批量购买，每片起价为 3.50 美元。

性能概要：LT3750EMS
• 可对任何容量的电容器充电
• 易于调节的输出电压
• 驱动大电流 N 沟道 MOSFET
• 主边检测 ── 无需输出电压分压器
• 宽输入范围：3V 至 24V
• 驱动栅极电压至 VCC - 2V
• 采用 10 引线 MS 封装