IR新型160A D2Pak MOSFET导通电阻低至3.8mΩ
出处:jasonell 发布于:2007-11-23 17:02:15
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一款新型160A额定电流、七引脚的IRF2907ZS-7PPbF MOSFET,进一步扩大了高性能75V及100V HEXFET同步整流MOSFET器件系列。新器件160A的额定值可为开关应用抗电涌提供更多的安全保障。其典型应用包括具有12V输出的服务器开关电源(SMPS)整流、电信系统中48V通道的有源ORing,以及24V输入DC-DC转换器。
标准的三引脚D2Pak封装所能承受的额定电流约100A。而IRF2907ZS- 7PPbF器件中设有经过强化的七引脚引线框,能实现更大直径的引线接合,可承受比市场上其他D2Pak
MOSFET高出45%的额定电流。此外,新器件的导通电阻为3.8mΩ,也低于市场上的同类MOSFET。
IR中国及香港销售总监严国富指出:“新型MOSFET具有大电流能力,较同类方案相比,功率密度改善了两成,所需元件数目也更少,还能实现更可靠的设计。”这些新型大电流开关器件同样适用于低压电机驱动应用,并且符合RoHS的无铅标准,通过了Q101级及MSL1湿度敏感性测试。
新型IRF2907ZS-7PPbF无铅器件现已供货,以一万件订货量计算,单价为1.85美元,价格会有所变动。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 光耦详细应用教程2024/4/26 16:43:32
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”2024/4/26 15:56:19
- 可控硅的工作原理、分类、作用与三极管的区别、与场效应管区别、典型应用接线图2024/4/24 17:56:03
- N型和P型半导体的导电特性2024/4/24 17:34:41
- NPN与PNP的基础知识介绍2024/4/23 17:48:16
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命