IBM、Macronix和Qimonda公司将在国际电子器件会议(IEDM)上宣布共同开发出一种相变内存原型，该原型的转换速度号称比传统闪存技术快500多倍。 

　　该设备的横截面大小仅有3 x 20纳米，写数据时的功耗比传统技术的功耗降低了一半多。22纳米甚至更高节点的器件将可以通过这一技术而实现。构成该技术之的是一小块半导体合金，能在一个有序的晶体相位中快速变换。 

　　这种新的存储器材料是一种锗－锑（GeSb）合金，其中添加了微量元素来改进性能。届时在IEDM大会上将会有一篇名为《利用GeSb材料的超薄相变桥内存器件》的论文提供更多详情。