飞兆半导体的30/40V MOSFET是要求高电流密度和低功耗系统的理想选择，并根据汽车市场的发展趋势，从机械方式进展为机电方式。飞兆公半导体的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是业界导通电阻的器件之一。除了性能方面的改善，这些器件还可节省线路板空间，因为一个飞兆半导体的低RDS(on) MOSFET可替代两个在这些设计中传统使用较高RDS(on)的MOSFET。而且，这些MOSFET能满足UIS要求并达到严格的AEC-Q101汽车标准，可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。

    飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁Paul Leonard称：“飞兆半导体的新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860器件，提供的导通电阻仅为55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中，低导通电阻意味着更高的效率，因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30V和40V应用的11种新器件外，飞兆半导体将继续扩充全线的车用MOSFET产品系列，以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。”

    飞兆半导体面向汽车应用的MOSFET经鉴定达到ISO/TS 16949标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果，包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务。这个标准由国际汽车特别工作组(IATF)起草，获得国际承认，并已成为北美和欧洲许多汽车OEM厂商的强制性要求。

    这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。有现货供应，交货期为收到订单后4至12周内。