用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺

出处:ilovecr 发布于:2007-04-29 10:00:04

所有人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
本发明涉及一种用于选自于半导体材料晶片的表面处理工艺,通过转移技术获得该晶片,以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段:a)温度上升的个斜坡,是为了开始加热,b)次稳定停止,是为了稳定温度,c)温度上升的第二个斜坡,其特征在于在第二个斜坡期间,在称为低的温度范围之内温度上升的平均斜率具有值,然后在称为高的温度范围之内增加。  
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备注:
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关键词:半导体

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