美国固态半导体设备有限责任公司 （DBA SSEC）宣布推出全新功能工具，即专为WaferEtch平台设计的多路收集排放管道。多路收集排放管道现在已是所有WaferEtch平台的标准配置，还可加装到现有的3300系列工具上。

　　美国固态半导体设备有限责任公司 （DBA SSEC） 是一家先进封装与半导体设备制造、高亮度LED和硬盘驱动器的单芯片湿式加工系统供应商，新款独有的排放设计可以在相同反应室内收集、再循环并隔离多种化学成份，几乎可以完全消除化学成份之间的交叉污染，形成独特的化学成分排放路径，并保留SSEC的化学节能值。

　　形成细微特征需要蚀刻工艺流程（比如凸块下金属化 [UBM]），工艺流程涉及多个金属层，并且需操作使用不相容的化学成份，这些化学成份不能接触排放管道内同一湿润区域。SSEC执行官Herman Itzkowitz解释道： “过去，在单一芯片湿式加工工具中容纳两种或三种化学物质时，需要在收集器下使用分流阀，只要化学成份能够在短时间内使用相同路径，分流阀足以负担这项工作。使用此方法的交叉污染率通常小于1%.”现在该款全新的排放管道设计采用多重收集方案，不仅减轻烟气且几乎消除交叉污染，使相同反应室内蚀刻多种金属成为可能

　　除单独密封以避免交叉污染的多个排放管道开口之外，该工具的晶片夹会在多路收集过程期间保持固定，支持即时淬火功能，可按需要随时停止蚀刻工序，改善工艺流程控制。新款设计保留了SSEC的化学节能值，可捕获达 99.5% 化学成份。高回收百分比与降低交叉污染不仅延长槽池使用寿命，也降低整体拥有成本。

　　另外多路收集排放管道所具备的实时淬火能力，为当今细微特征蚀刻应用提供更加出色的工艺流程控制。