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FDMS0308AS

更新时间:2025-05-16 08:45:57

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深圳市昴泽电子有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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FAIRCHILD
QFN8/1147+
一定原装房间现货

深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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FAIRCHILD/仙童
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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QFN8/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务

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大量现货，提供一站式配单服务

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只有原装，原装，假一罚十

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深圳中和芯电子有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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FDMS0308AS 概述

FDMS0308AS是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为-30V，在10V栅源电压下的导通电阻典型值为4.5mΩ，适用于高效功率管理应用。这款MOSFET常用于电源管理电路、负载开关、电池保护电路等场景。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，它能有效提高系统效率并降低功耗。在使用时应注意，由于是P沟道MOSFET，其驱动方式与N沟道有所不同，需确保正确的栅极驱动电压以实现最佳性能。设计电路时，建议根据具体应用选择合适的散热方案，以保证器件可靠工作。

FDMS0308AS 规格参数

现有数量
2,978现货
系列
PowerTrench?, SyncFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN

芯知识

1.7万

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广东微尔科技有限公司

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