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GaN正式登场传统功率器件将被替代
件替代，也不是一件容易的事情。lidow博士提供的一些资料增加了说服力，在一个基于导通电阻性能带来的不同材料功率器件成本比较中，第一代gan出色的性能远超si和sic，并且目前epc公司的两款gan器件epc1010和epc1001所实现的封装面积还远未到gan器件理论极限，“这也意味着，gan器件在优化成本上的空间还很巨大，”lidow说。在另一个有关功率器件品质因数（fom）的比较图中，epc1010分别同三家公司的的mosfet（vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641）进行比较的结果也令人惊讶——epc1010的fom值较三者中表现最好的irf6641还要低将近20倍！fom =rds(on) x qg (200v)，由此可见gan器件在导通损耗和开关损耗两项关键值上表现优异。 lidow强调，mosfet工作模式有两类——耗尽型（depletion mode）和增强型（enhancement mode），即正常情况下导通和断开两种工作模式，epc采取了其中的增强型模式，其产品为egan型。而竞争者ir的gan产品为耗尽型模式，“

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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