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FDB14AN06LA0

更新时间:2025-07-13 02:43:57

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FDB14AN06LA0 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
67A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11.6 毫欧 @ 67A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)

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