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200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
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MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
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200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fom及采用紧凑
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fo
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应，有助于提高系统的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括： 最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷，具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg
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