FDB2614
668495
D2PAK3/TO2632/22+
原装可开发票
FDB2614
12500
D2PAK/24+
16年老牌企业 原装低价现货
FDB2614
800
TO263/1750+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
FDB2614
58352
-/21+
主营品牌全新原装可供更多
FDB2614
8700
TO263/2023+
原装现货
FDB2614
80000
-/23+
原装现货
FDB2614
38928
TO2534TO253AA/21+
原厂渠道,现货配单13312978220
FDB2614
30000
TO263/2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
FDB2614
7764
D2PAK/23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
FDB2614
154836
SOT263/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
FDB2614
9000
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原厂渠道,现货配单
FDB2614
8000
SMD/22+
十年配单,只做原装
FDB2614
60000
TO263(D2PAK)/21+
十年配单,只做原装
FDB2614
6000
TO263/23+
专注电子元件十年,只做原装现货
FDB2614
8700
TO263/2023+
原装现货
FDB2614
9000
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/23+
原厂渠道,现货配单
FDB2614
258200
FSC/2021
-
FDB2614
7300
TO263/22+
行业十年,价格超越代理, 支持权威机构检测
FDB2614
26500
D2PAK3 / TO2632/2322+
汽车IC原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示:“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fom及采用紧凑
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示:“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fo
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应,有助于提高系统的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括: 最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷,具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg