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IRF640NSTRRPBF

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  • 大小:292.8KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:18A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:13A; Drain Source On Resistance @ 10V:150mohm ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大:150W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:带卷 (TR)
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