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MJD31C

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MJD31C 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=3A/ICP=3A/IB=1A
    电压参数:UCBO=40V/UCEO=40V/UEBO=5V
    功   率:PC=1.56W
    其他参数:fT=3MHz

    极   性:NPN

  • 技术应用:

    MJD31C的技术参数
    产品型号:MJD31C类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):3集电极最大电流IC(Max)(A):100直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE...

MJD31CPDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

MJD31C外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大):50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大:15W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:管件
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