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NTGS3136PT1G

更新时间:2025-06-13 06:50:42

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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中扬电子（深圳）有限公司
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NTGS3136PT1G外观图

NTGS3136PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

封装:SC-74，SOT-457

NTGS3136PT1G 概述

NTGS3136PT1G是一款由安森美半导体生产的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为30V，适合用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等电路中。由于其小尺寸封装和良好的热性能，特别适合空间受限的应用场景。此外，NTGS3136PT1G还具备较高的峰值电流能力，使其在需要瞬时大电流的场合也能稳定工作。在实际应用中，建议结合具体的电路需求选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度和EMI性能。

NTGS3136PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫欧 @ 5.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1901pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTGS3136PT1G-NDNTGS3136PT1GOSTR

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