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NTLTD7900ZR2G

更新时间:2024-04-20 03:27:02
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NTLTD7900ZR2G外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:26 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:15pF @ 16V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTLTD7900ZR2GOSNTLTD7900ZR2GOS-NDNTLTD7900ZR2GOSTR
NTLTD7900ZR2G 相关信息
  • NTLTD7900ZR2G的技术参数
    产品型号:NTLTD7900ZR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150描述:20 V, 9A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.00 来源:xiangxueqin
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