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NTLTD7900ZR2

更新时间:2025-05-17 07:06:31

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NTLTD7900ZR2 规格参数

制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
20 V
闸/源击穿电压
+/- 12 V
漏极连续电流
6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.031 Ohms
配置
Dual Dual Drain
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Micro-8
封装
Reel
下降时间
1.17 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
1.5 W
上升时间
1.17 ns
工厂包装数量
3000
典型关闭延迟时间
1.87 ns

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