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SI2301BDS-T1-E3

更新时间:2024-04-26 23:22:36
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SI2301BDS-T1-E3外观图

  • 大小：88.8KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.2A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:2.2A; Current, Idm Pulse:10A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.7W; Power Output:0.7W; Power, Pd:0.7W; Power, Ptot:0.7W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:.15ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:.1ohm; Resistance, Rds on Max:0.1ohm; SMD Marking:L1; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Powe...
  • 数据列表：SI2301BDS
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：950mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：375pF @ 6V
  • 功率 - 最大：700mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2301BDS-T1-E3TR
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