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SUB85N02-03-E3

更新时间:2025-04-29 03:55:08
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SUB85N02-03-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：85 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：320 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：250 W
  • 上升时间：200 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：450 ns
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