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  • 北京显周科技有限公司

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  • 深圳市奥利腾科技有限公司

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  • 鲁卡天成科技有限公司

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  • 深圳市向安科技有限公司

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LM358技术文章
  • NOR闪速存储器写周期的时序

    。 无论怎样的操作时序,作为写操作基本上都是相同的,我们在说明编程操作之后,将简单地描述擦除时序。 编程操作 首先,我们先看如图1所示的编程操作。因为时序规定的线太多,可能看起来非常复杂,但只要按照顺序追踪下去,就不会觉得困难。基本的时序思路刚才已经概括说明。 1. tvcs(vcc建立时间) 由于闪速存储器在内部具有对来自主机的指令进行解释的定序程序,因此电源一旦达到额定电压值,则立即不能进行存取。电源达到额定电压值之后到发出最初的指令之前,必须获得的时间就是tvcs。am29f010a的这个时间为50μs。 通常,作为cpu的外部记忆加以使用的时候,一般都具备加电重启电路。电源接通后,解除cpu的复位,cpu到开始最初的存取一般都需要相当长的时间。因此,出现问题的时候较少,但在使用闪速存储器写人器的情况下,都在电源引脚上准备半导体开关等,插拔插座时关闭电源,在开始存取时,进行接通电源的操作。为此,在电源控制板上接通电源后,必须经过达到额定电压值所需要的时间+50μs以后,才能访问闪速存储器,这是需要注意的地方。 2. tcs(ce建立时间) we写控制的情况

  • NOR闪速存储器的引脚配置

    在器件的使用方面,必须了解引脚配置以及各个引脚所代表的意思,因此我们现在首先调查引脚的配置。下载am29f010a的数据手册后,没有关于dip封装的记载。但是,因为事实上am29f010的dip类型是存在的,所以引脚配置肯定已经确定了。我们试着与相同系列的前一产品am29f040b的引脚配置进行比较。am29f010a的plcc式的引脚配置如图1所示,am29f040b的plcc式与dip式的引脚配置如图2所示(am29f010a与040b除此之外都还有ttsop式的封装)。 图1 am29fo10的引脚配置(plcc封装) 将am29f010与am29f040b所具有的plcc式的引脚配置进行比较,我们可以知道,前者中为nc(not-connected,无连接)的引脚6与9只是配置了地址的2个高位(a17和a18)。 图2 am29f04o的引脚配置 因此,对于am29f010a的dip式的引脚配置,也可以认为只是将am29f040b的dip式的引脚30和引脚1作为nc来使用。 目前我们都是在研究封装器件的内部结构,封装的外形虽然存在各种各样的形式,但取出其中芯

  • NOR闪速存储器读周期时序

    下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是am29f010a的读操作的时序图,表是时序规定。与前所概述的内容相比较,在时序图当中,作为基点的电压存在两处,比概略图具有更多的时间规定。 图 am29f010a的读操作时序 表 时序规定 两处的电压基点表示如果低于下面的基点则为低电平,如果高于上面的基点则为高电平。处于两者之间的电压则根据器件的特性及其他,或者识别为高电平,或者识别为低电平。具体的电压将在后面的说明(dc规定)中出现。 通常在波形下降阶段碴处在下方的基点表示起始于确定了低电平那个时刻;而上方的基点则表示不能认为是高电平的那个时刻(根据器件,有时候也认为是可以识别为低电平的那个时刻)。一般情况下,时序规定都尽可能地严格。 现在,我们对上图中出现的trc、toeh、toh、tdf4个参数加以说明。 trc(读周期时间) 这是确定(稳定)地址的时间。通过数据手册我们了解到,由于该时间与tacc(从地址到数据输出的时间)是同一的,所以采用通常的方法一般不会出现问题。 toeh(输出使能保持时间) 这是在刚进行完写操

  • 闪速存储器指令

    通过地址与数据特定组合的若干次写人序列,向闪速存储器发出指令。利用这样的序列,防止由于编程错误及开通电源的暂时不稳定等因素所引发偶然擦除及写人操作。 am29f010a的指令定义如表所示。例如,当编程指令(向闪速存储器特定地址写入数据)下达时,如下所述: ①向555h地址写人aah; ②向2aah地址写人55h; ③向555h地址写入a0h; ④向希望写人地址(pa)处写人希望写入的数据(pd)。 表 am29f010a的指令定义 ra:读地址;pa:编程地址;sa:扇区地址;rd:读数据;pd:编程数据 通过上述4次写入序列完成写人操作。最后的写操作完成后,根据读取状态来判断内部操作是否结束。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99

  • NOR闪速存储器信号的种类

    am29f010引脚的分组如图所示。am29f040只是地址总线增加到18根,没有nc引脚,其他方面与am29f010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、ce、oe、we的组合如表所示。 图 am29f01o的引脚分组 表 am29f010a的操作模式 1. vcc/vss 这是电源引脚。因为am29f010和am29f040都是+5v单一电源工作的flashrom,因此,给vcc加上+5v电压,vss作为标准电位为0v。 2. a0~a16(地址) a0~a16是地址引脚。虽然am29f010是容量为1m位的闪速存储器,但由于是以dq0~dq7的8位为单位进行数据输入输出,因此地址就是1m位÷8位=128k,具有17根地址线。 3. dq0~dq7(数据) 这是与外部进行数据传输的引脚。因为am29f010通常是以8位为单位进行输人输出的,所以数据通常是以8位为单位进行读取与写人的。 4. ce(芯片使能) 这是器件的选择信号。只有该引脚为低电平时,下面所描述的de及we信号才有效。当与cpu等连接时,对cpu的高位地

am29f010a替代型号
AM29F010 AM29F002 AM28F010 AM286 AM27S25PC AM27C512 AM27C010-120JI AM27C010 AM26LV32CDR AM26LS33AC

AM29F010B AM29F010B-120JC AM29F016D AM29F040 AM29F040B AM29F040B-55EC AM29F040B-90JI AM29F080 AM29F160 AM29F400

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