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以上;(4)能体现sith管的优势,避开其弱点。 这里采用了boost变换程式(图1)。图中 r1:1kω;r2:20ω;r3:10kω;r 4:5kω;r5:5kω;r6:800kω;r7:10k ω;r8:20kω;r9:1mω;r10:0.2 ω;r11:50kω;r12:10kω;c1:0.01mf;c2:200pf; c3:0.1mf;c4:50mf;c5:100mf/400v; c6:2mf/~250v;c7:2000pf;d1:12v/0.5w稳压二极管;d2: 3a快恢二极管her308; d3、d6:2a/400v整流桥;q1、q3:npn三极管8050;q2:pnp三极管8550;q4:vdmos 10a/30v;l1:2mh/ 1a高频电感;l2:2mh/ 1a高频电感;ic:uc3852。 uc3852的详细工作原理请参阅texas instruments公司有关资料。要着重指出的是, uc3852是一种专门用来提高输入功率因数的开关电源控制芯片,它的基本原理是在远高于50周的频率下工作, 控制开关管以一个恒定的时间ton导通,导通时电感l2承
密度, 单位为g (高斯wb/cm2)。 4 实验结果 目前, 笔者采用该技术成功地设计出了一种输入范围为120~800 v, 输出功率为20 w的辅助开关电源。 本设计采用直流120~800 v输入, 输出单路为20 v/1 a, 其实验的工作频率f为100 khz, 主变压器选用pc40 ee25高频磁芯, 驱动隔离变压器选用t57 r12.5×7.5×5高频脉冲变压器磁芯, 主开关vt1 和vt2 选用apt 4m120k n沟道mosfet,钳位二极管vd1和vd2选用her308肖特基二极管, 整流二极管vd3选用cq504, 保护电路开关管vd4选用irf9640 p沟道mosfet。 5 结束语 实验证明, 由于本设计采用了反激式拓扑结构, 因此, 电路工作稳定度好。这种结构的特点是整个电路使用元器件少, 本身固有效率高(典型效率为80%), 采用单片开关控制, 整体设计比较经济, 又因为和主功率回路分开, 从而避免了相互干扰, 提高了可靠性。 来源:风里来雨里去
电流参数:IF(AV)=3A/IFSM=150A/IR=10μA电压参数:URRM=1000V/URMS=700V/UDC=1000V/UF=1.85V其他参数:trr=70ns备 注:超快速整流二极管(IF(AV)为Ta=50℃值)
高效率整流二极管,1000V,3A
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