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ntp2955g中文资料

  • NTP2955G的技术参数

    产品型号:ntp2955g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):196最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:p沟道封装/温度(℃):to-220/-55 ~150描述:-60 v, -12 a功率mosfet价格/1片(套):￥5.00 来源:xiangxueqin

  • NTP2955G的技术参数

    产品型号:NTP2955G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):196
    最大漏极电流Id(on)(A):12
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:-60 V, -12 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥5.00

ntp2955g替代型号

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