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  • NTP30N20的技术参数

    产品型号:ntp30n20源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):68@10v最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~175描述:45a,30v功率mosfet价格/1片(套):¥15.50 来源:xiangxueqin

  • NTP30N20G的技术参数

    产品型号:NTP30N20G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):200
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:30 A, 200 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥17.00

  • NTP30N20的技术参数

    产品型号:NTP30N20
    源漏极间雪崩电压VBR(V):200
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):68@10V
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
    描述:45A,30V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥15.50

ntp30n20替代型号

NTP30N06LG NTP30N06L NTP30N06 NTP2955G NTP27N06G NTP27N06 NTP22N06 NTP18N06LG NTP18N06L NTP18N06G

NTP30N20G NTP35N15 NTP35N15G NTP4302 NTP4302G NTP45N06 NTP45N06G NTP45N06LG NTP52N10 NTP52N10G

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