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当前位置：维库电子市场网>IC>ntp60n06 更新时间:2024-04-26 17:17:04

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ntp60n06中文资料

  • NTP60N06的技术参数

    产品型号:ntp60n06源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~175描述:75a,25v功率mosfet价格/1片(套):￥11.60 来源:xiangxueqin

  • NTP60N06LG的技术参数

    产品型号:NTP60N06LG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):16
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:60 V, 60 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥12.40

  • NTP60N06G的技术参数

    产品型号:NTP60N06G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:60 V, 60 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥12.00


    ...

  • NTP60N06的技术参数

    产品型号:NTP60N06
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
    描述:75A,25V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥11.60


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ntp60n06替代型号

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