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当前位置：维库电子市场网>IC>ntp52n10 更新时间:2024-04-26 10:52:59

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ntp52n10中文资料

  • NTP52N10的技术参数

    产品型号:ntp52n10源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30最大漏极电流id(on)(a):52通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~150描述:75a,30v功率mosfet价格/1片(套):￥15.50 来源:xiangxueqin

  • NTP52N10G的技术参数

    产品型号:NTP52N10G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):100
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
    描述:60 A, 100 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥18.40

  • NTP52N10的技术参数

    产品型号:NTP52N10
    源漏极间雪崩电压VBR(V):100
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30
    最大漏极电流Id(on)(A):52
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
    描述:75A,30V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥15.50


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ntp52n10替代型号

NTP45N06LG NTP45N06G NTP45N06 NTP4302G NTP4302 NTP35N15G NTP35N15 NTP30N20G NTP30N20 NTP30N06LG

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