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IRF640NSTRRPBF

更新时间:2025-07-21 06:30:26

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 18A D2PAK/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市瑞新盛科技有限公司
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20000
IR
TO263/18+
原装正品

深圳市昌和盛利电子有限公司
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N/A/NEW
专注原装价格优量大可定欢迎惠顾(长期高价回收全新

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
Infineon(英飞凌)
D2PAK/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市米数科技有限公司
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5000
IR(国际整流器)
N/A/26+
只做原装，价格市场

深圳市得捷芯城科技有限公司
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NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
IR
TO263/23+
原厂代理终端免费提供样品

深圳海天芯供应链有限公司
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LMSEMI/砺马
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深圳市威雅利发展有限公司
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8700
INFINEON/英飞凌
-/23+
原装现货

深圳市赛美科科技有限公司
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TO263/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

海芯未来半导体电子（深圳）有
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7300
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TO263/2026+
行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳市创芯联盈电子有限公司
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115000
Infineon(英飞凌)
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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10000
INFINEON
D2PAK/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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9400
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SOT263/23+
原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
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原装现货

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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原装现货，支持BOM配单

深圳市思跃电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市富科达科技有限公司
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全新原装现货库存特价热卖

昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市科格尔电子有限公司
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全新原装现货欢迎咨询

深圳市莱克讯科技有限公司
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原包装正品渠道现货库存

深圳市华盛锦科技有限公司
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8000
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原装现货，支持BOM配单

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
Infineon(英飞凌)
D2PAK/26+
-

深圳市晶开元科技有限公司
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全新原装2-3周

深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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26000
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DPAK3/2026+
原装优势有货

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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60000
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TO263/2025+
原装现货

深圳市汇创佳电子科技有限公司
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5200
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D2PAK/20+
公司现货原装

深圳市万芯时代贸易有限公司
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1
回收IC
N/A/25+
回收此型号IRF640NSTRRPBF

深圳市金灿利电子科技有限公司
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128000
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

深圳市石芯电子有限公司
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深圳市博信盛科技有限公司
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原装现货报价当天为准

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深圳市英德州科技有限公司
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Infineon(英飞凌)
D2PAK/23+
Infineon主营全系列供应

深圳市福田区晶康业电子商行
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1000
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深圳市华锐源电子科技有限公司
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104
IR
TO263/1419+
只做原装报价当天为准

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IRF640NSTRRPBF外观图

IRF640NSTRRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRF640NSTRRPBF 概述

IRF640NSTRRPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。其最大漏源电压为100V，连续漏极电流可达18A，在功率转换应用中表现出色。这款MOSFET适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效电能管理的电路中。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够高以减小导通电阻，并使用适当的散热措施以维持器件的工作温度在安全范围内。对于开关电源设计，需注意PCB布局优化，减小寄生电感对开关性能的影响。此元件因其良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于工业控制及消费类电子产品领域。

IRF640NSTRRPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1160pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)

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