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IRF6668

更新时间:2025-05-16 02:42:26
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IRF6668 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    7.1 ns
  • 典型接通延迟时间
    19 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    22 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    1320 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    5.05mm
  • 封装类型
    DirectFET MZ
  • 尺寸
    5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目
    7
  • 最低工作温度
    -40 °C
  • 最大功率耗散
    2800 mW
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    80 V
  • 最大漏源电阻值
    0.015
  • 最大连续漏极电流
    55 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    双源、四漏极、单
  • 长度
    5.45mm
  • 高度
    0.6mm
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