IRF6725MTRPBF
9600
DIRECTFET/0952+
一定原装/香港现货
IRF6725MTRPBF
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IRF6725M
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DirectFET MX/23+
原装现货
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DirectFET MX/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
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3000
DirectFET MX/N/A
原装正品热卖，价格优势
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DPak/2024+
原装现货，支持BOM配单
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DirectFET MX/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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DirectFET MX/23+
只做原装,专注海外现货订购20年
IRF6725M
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
IRF6725M
8000
DPak/2023+
原装现货，支持BOM配单
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28800
DirectFET MX/22+
原装现货，提供配单服务
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32568
DirectFET MX/18+
一级代理进口原装长期供应绝对优势价格诚信经营
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48000
DirectFET MX/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
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75000
DirectFET MX/2020+
原装现货配单
IRF6725M
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DirectFET MX/21+
中研正芯，只做原装
IRF6725M
60701
DirectFET MX/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
IRF6725M
23412
DirectFET MX/23+
提供一站式配单服务
IRF6725M
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DirectFET MX/2024+
现货假一罚万只做原装现货
IRF6725M
8391
DirectFET MX/22+
特价现货，提供BOM配单服务
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DirectFET MX/22+
诚信、创新、和谐、共赢
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DirectFET Power MOSFET
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IRF6725MTRPbF
DirectFET Power MOSFET
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了0.7mm纤薄设计。新一代30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。 来
该系列结合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技术与先进的directfet封装技术，比标准so-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30v器件的导通电阻(rds(on))非常低，同时把栅极电荷(qg)和栅漏极电荷(qgd)减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on)特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定(rohs)，并已接受批量订单。
%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。
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