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IRF6706S2TRPBF

更新时间:2025-05-25 17:10:36
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IRF6706S2TRPBF外观图

IRF6706S2TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

  • 封装:DirectFET? 等容 S1
IRF6706S2TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.8 毫欧 @ 17A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1810pF @ 13V
  • 功率 - 最大
    1.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    DirectFET? 等容 S1
  • 供应商设备封装
    DIRECTFET S1
  • 包装
    带卷 (TR)
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