带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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WDSON5/19+
原装现货不仅销售也回收
IRF6726M
8000
SO8/2024+
原装现货，支持BOM配单
IRF6726M
6000
DirectFET MT/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6726M
20000
VDFPN/2024+
17%原装.深圳送货
IRF6726M
16000
DirectFET MT/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6726M
6000
DirectFET MT/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6726M
8800
-/24+
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IRF6726M
8000
SO8/2023+
原装现货，支持BOM配单
IRF6726M
32568
DirectFET MT/18+
一级代理进口原装长期供应绝对优势价格诚信经营
IRF6726M
8000
DirectFET MT/22+
只做原装
IRF6726M
7000
DirectFET MT/21+
终端可免费供样，支持BOM配单
IRF6726M
6000
DirectFET MT/22+
原装现货
IRF6726M
6560
FET MT/09+
原装，公司现货
IRF6726MPBF
19550
-/2018+
原装 部分现货量大期货
IRF6726MTR1PBF
5500
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6726MTR1PBF
5500
NA/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
IRF6726MTR1PBF
28683
SOP8/21+
原装现货终端免费提供样品
IRF6726MTR1PBF
9000
DirectFET Isometric MT/23+
原厂渠道，现货配单
IRF6726MTR1PBF
9800
SingleNChannel30/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
IRF6726MTR1PBF
5500
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6726MPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6726MPBFPDF下载
IRF6726MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6726MTRPBFPDF下载
IRF6726MTRPbF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF6726MTR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET MT; Transistor ...
International Rectifier
IRF6726MTR1PBFPDF下载
计。新一代30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。 来源:ks99
7mm纤薄设计。新一代30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。
采用了0.7mm纤薄设计。新一代30v器件的导通电阻(rds(on))非常低，同时把栅极电荷(qg)和栅漏极电荷(qgd)减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on)特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。 新器件符合电子产品有害物质限制规定(rohs)，并已接受批量订单。
该系列结合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技术与先进的directfet封装技术，比标准so-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
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