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IR推出适合CPU电源应用的30V DirectFET MOSFET系列
导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。来源:ks99

专为同步降压转换器设计的30V DirectFET MOSFET
该系列结合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技术与先进的directfet封装技术，比标准so-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
IR推适合CPU电源应用的30V MOSFET系列
计。新一代30v器件的导通电阻(rds(on))非常低，同时把栅极电荷(qg)和栅漏极电荷(qgd)减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on)特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。新器件符合电子产品有害物质限制规定(rohs)，并已接受批量订单。
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30v器件的导通电阻 (rds(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (qg) 和栅漏极电荷 (qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。 ir亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率mosfet硅器件和directfet封装，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25a的操作，同时保持单一控制和单一同步mosfet的小巧体积。” irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有极低的rds(on) 特性，非常适合高电流同步mosfet。这些新器件与上一代器件采用通用的mt和mx占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。 irf6721s、irf6722s与irf6722m极低的qg和qgd，使这些器件非常适用于控制mosfet。它们还有sq、st和mp占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。新器件符合电子产品有害物质限制规定 (rohs)，并已接受批量订单。

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