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IRFD020

更新时间:2025-07-04 21:51:06

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深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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深圳市捷力华电子科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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IRFD020 概述

IRFD020是国际整流器公司（Infineon Technologies）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动应用。其最大漏源电压（Vds）为60V，连续漏极电流（Id）可达5.8A，栅极阈值电压范围在1V至3V之间，适合低压电路设计。由于其高效的开关性能和紧凑的封装尺寸，在消费电子、工业控制等领域广泛应用。使用时需注意栅极驱动电压的选择以确保可靠导通，并避免超过最大额定电压与电流，防止损坏器件。

IRFD020 规格参数

制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
50 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
2.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
100 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
HVMDIP
封装
Tube
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
1000 mW
工厂包装数量
2500
典型关闭延迟时间
16 ns

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